406MHBS45KRT datasheet

406MHBS45KRT datasheet скачать даташит

Сообщить об ошибке

Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)

О ДАТАШИТЕ

Маркировка

406MHBS45KRT
Производитель

Illinois Capacitor
Описание

Illinois Capacitor 406MHBS45KRT Mfr Package Description: RADIAL LEADED, ROHS COMPLIANT Lead Free: Yes EU RoHS Compliant: Yes Terminal Finish: NOT SPECIFIED Mounting Feature: CHASSIS MOUNT Manufacturer Series: 406MHBS45KR Operating Temperature-Max: 85 Cel Operating Temperature-Min: -40 Cel Capacitance: 40 uF Package Shape: RECTANGULAR PACKAGE Capacitor Type: METALLIZED FILM Terminal Shape: LUG Negative Tolerance: 10 % Positive Tolerance: 10 % Dielectric Material: POLYPROPYLENE Rated DC Voltage (URdc): 800 V
Количество страниц

1 шт.
Форматы файла

HTML, PDF
(Для просмотра требуется Adobe Acrobat Reader)

Скачать datasheet 406MHBS45KRT.pdf
Файл формата Pdf 125,38 KB

Все даташиты (технические описания) представлены в формате PDF с использованием Adobe Acrobat Reader, который Вы можете бесплатно скачать.

Сообщить об ошибке

Где можно купить

406MHBS45KRTОнлайн Компоненты

406MHBS45KRTЭИК

406MHBS45KRTТМ Электроникс

Разместить объявление

Новости электроники

<p>TrendForce сообщает об очередных изменениях на рынке флэш-памяти NAND. В том числе на него повлияло сокращение производства, предусмотренное стратегией компании Samsung. У многих пользователей были определенные опасения, ситуацию усложняла неопределенность, приводящая к медленным закупкам, при этом количество запасов сократилось.</p>

По мнению TrendForce ожидается очередной рост выручки от продаж флэш-памяти NAND

24.05.2024

<p>Компания Infineon Technologies AG выпустила новейший МОП-транзистор на основе карбида кремния (SiC), CoolSiC MOSFET 650V и 1200V Generation 2, который стал новым достижением в области технологий преобразования энергии. Эта технология нового поколения значительно улучшает ключевые показатели производительности, такие как накопленная энергия и заряд, на 20 процентов по сравнению с предшественниками, без снижения качества и надежности. Это улучшение способствует повышению энергоэффективности, что вносит вклад в более широкие усилия по декарбонизации.</p>

Infineon представляет усовершенствованный SiC MOSFET для повышения энергоэффективности

22.05.2024

Тайваньская академия наук, Academia Sinica, представила инновационный 5-битный сверхпроводящий квантовый компьютер, что является значительным достижением в области квантовых вычислений и укрепляет позиции Тайваня как одного из лидеров в этой быстро развивающейся сфере.

Тайвань продвигает квантовые вычисления с помощью нового 5-битного сверхпроводника

21.05.2024

Еще новости

Экспресс доставка электронных компонентов - Digikey, Newark, Mouser от 5 дней!

Экспресс доставка электронных компонентов

Digikey, Newark, Mouser от 5 дней!

Разместить объявление

Подписаться на новости

Хотите интересные новости электроники? Подпишитесь на рассылку наших новостей.